據半導體產業網，于2025年09月10日報道，9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，云南鑫耀半導體材料有限公司技術副總經理韋華將受邀出席論壇，并帶來《VGF法磷化銦熱場優化控制對單晶缺陷形成的影響》的主題報告，敬請關注！
嘉賓簡介
韋華，在讀博士、高級工程師。云南鑫耀半導體材料有限公司技術副總經理，2021年獲昆明市“春城計劃”高層次青年引進人才。研究領域主要為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶生長、晶片加工、檢測測試，主要包括單晶生長熱場模擬、缺陷抑制、亞表面損傷層研究等。主持或參與省市級項目5項，發表論文10余篇，申請專利25項，主持參與制修訂團體標準3項。解決了國產高純銦、國產高純磷自主合成磷化銦多晶關鍵技術，φ4.5-6英寸磷化銦單晶生長關鍵技術，VGF+VB聯動法動磷化銦新長晶技術，磷化銦單晶智能自適應控溫技術，磷化銦自動清洗新技術，推動高品質磷化銦國產化替代，實現加快光電半導體戰略材料自主可控進程。
單位簡介
云南鑫耀半導體材料有限公司，是一家專業從事砷化鎵、磷化銦等光電半導體材料研發、生產及銷售的國家級高新技術企業，是我國著名的III-V族化合物半導體材料生產商和供應商，是國內唯一一家華為戰略投資入股的砷化鎵、磷化銦生產企業，擁有III-V族高端光電半導體材料研發平臺和產業化生產線，掌握砷化鎵、磷化銦從單晶生長、晶片加工、測試檢驗完整的關鍵技術和核心工藝。公司擁有專利69項；先后承擔國家級、省部級項目10余項；主持或參與制修訂標準5項，軟著3項。2021年獲國家級“專精特新”重點小巨人、“國家級綠色工廠”、云南省制造業單項冠軍企業等榮譽，2024年度獲智能制造100強企業。
報告前瞻
報告題目：VGF法磷化銦熱場優化控制對單晶缺陷形成的影響
報告摘要：針對高端光電子和微電子器件用高品質InP晶片存在的位錯、孿晶等缺陷問題，借助CGSIM數值正交模擬，研究獲得VGF熱場軸向/徑向溫度分布、熱流/溶體流動、固液界面形狀與位錯及應力分布的影響規律。軸向溫度梯度、生長速率為顯著影響因素，籽晶熔接及轉肩階段存在較大的位錯及應力分布，增大籽晶及PBN坩堝錐部導熱可顯著優化固液界面。摻S型晶體位錯由熱應力驅動，摻Fe型晶體的高位錯由Fe析出物誘發；通過VGF+VB聯動技術可實現熱應力驅動下的位錯抑制。固液界面小平面局部過冷是孿晶形核的主要驅動力，通過坩堝錐角優化、自適應精確控溫算法可工程實現降低應力波動，進而抑制孿晶，實現低成本、低缺陷、高均勻性VGF-InP單晶生長技術。
