據半導體產業網，于2025年09月05日報道，9月26-28日，“2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會”將于云南昆明舉辦。屆時，云南大學研究員史衍麗受邀將出席會議，并帶來《1550nm InP/InGaAs 單光子探測器》的主題報告，敬請關注！
嘉賓簡介
史衍麗，博士，云南大學研究員，博士生導師。主要研究方向為：紅外光電探測器設計及研制。作為項目負責人，先后主持二十余項國家和省部級項目。發表文章100余篇，在國內外相關重要會議上作大會和特邀報告二十余次。中國物理學會女物理工作委員會委員，《紅外與激光工程》、《紅外技術》、《紅外與毫米波學報》編委。
報告前瞻
報告題目：1550nm InP/InGaAs 單光子探測器
報告摘要：InP/InGaAs短波紅外單光子探測器（SPAD）是目前較為成熟而獲得廣泛應用的單光子探測器，也是目前1550 nm通信波段主流的單光子探測技術，具有性能好、體積小、方便安裝和攜帶的應用優勢；同時，基于常規半導體二極管的芯片制造工藝很容易實現大面陣單光子陣列，除了探測信號，還具備三維數字成像功能。國內外包括美國、瑞士、意大利、韓國等對InP/InGaAs SPAD進行了長期持續的研究，其單光子探測器陣列呈現了清晰的三維成像效果。
通過采用能帶-電場-工藝三元協同調控工程，對材料結構完成優化設計，利用創新的芯片工藝，建立均勻的雪崩電場，實現了室溫門控高性能單光子探測器，相比目前國際上報道的同類單光子探測器，相同探測效率下暗計數率低一個量級，為新一代室溫單光子探測器奠定了堅實的實驗和理論基礎。在此基礎上采用Cr-SiO作為InP/InGaAs負反饋雪崩二極管（NFADs）集成電阻。當它們被集成到SPAD中時，器件的雪崩電流被顯著抑制。在自由運行模式下，294 K時，NFAD以10%的光子檢測效率實現了32.6 kHz的暗計數率。根據以上工作成果，進一步研制了單光子探測器陣列，并成功實現了對弱光的成像演示。
附會議信息：
【會議時間】 2025年9月26-28日
【會議地點】云南·昆明
【指導單位】第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）
中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）
【主辦單位】
云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司
極智半導體產業網（www.casmita.com）
半導體照明網(www.china-led.net
第三代半導體產業
【承辦單位】
云南鑫耀半導體材料有限公司
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
【支持單位】
賽迪智庫集成電路研究所
中國科學院半導體研究所
云南大學
山東大學
云南師范大學
昆明理工大學
晶體材料全國重點實驗室
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【關鍵材料】
1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；
2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；
3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導體材料生長與加工關鍵技術、器件工藝及應用研究；
【主要方向】
1.化合物半導體單晶與外延材料
（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長及模擬設計等）
2.硅、高純鍺及鍺基材料
（大硅片生長及及應用，直拉法或區熔法等單晶生長，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機械拋光，摻雜調控離子注入等）
3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長與加工關鍵裝備
（高純前驅體，高純試劑，高純氣體，高純粉體， 長晶爐，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生長裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設備與材料，檢測設備等）
4.測試評價及AI for Science
（AI 驅動的測試評價革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長智能調控、缺陷實時檢測與修復，多尺度建模，綠色制造優化 等）
5.光電子器件工藝與應用
（發光二極管，激光二極管，光電探測器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達，光通信，量子技術等）
6.通訊射頻器件工藝與應用
（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關器件，移動通信，衛星通信，低空飛行器，無人機，射頻能量等）
7.能源電子及應用
（風電&光伏&儲能新能源，電動汽車，數據中心，工業電源，電機節能，軌道交通，智能電網，航空航天，工業控制，變頻家電，消費電子，儀器儀表等）
8.綠色廠務及質量管控
（潔凈廠房，高純水制備，化學品供應，特氣供應，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應及質量管控等）
【程序委員會】
大會主席：惠峰 （云南鍺業）
副主席：陳秀芳（山東大學）、趙璐冰（CASA)
委員：趙德剛（中科院半導體所）、康俊勇（廈門大學）、 徐寶強（昆明理工）、皮孝東（浙江大學）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學）、李強（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學）、邱峰（云南大學）、楊杰（云南大學）、謝自力（南京大學）、葛振華（昆明理工大學）、田陽（昆明理工大學）、魏同波（中科院半導體所）、許福軍（北京大學）、徐明升（山東大學）、孫海定（中國科學技術大學）、田朋飛（復旦大學）、劉玉懷（鄭州大學）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導體所）、高娜（廈門大學）、陳飛宏（云南鍺業）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學）、李寶學（云鍺紅外） ......等
【日程安排】
日程
【擬參與單位】
中科院半導體所、鑫耀半導體，南砂晶圓，藍河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學，廈門大學，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學，西安電子科技大學，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實驗室，中微公司，矢量集團，晶盛機電，連科半導體，晶澳太陽能 美科太陽能 高景太陽能 中研科精密 華夏芯智慧光子，國聯萬眾，凝慧電子，晶湛半導體，英諾賽科，中光睿華，連城數控，云南大學，阿特斯陽光電力，山東大學，云南師范大學，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導體，南砂晶圓、西安聚能超導，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學，云南鍺業，通美晶體，三安光電，電子科技大學，深圳平湖實驗室，中科院長春光機所，廣東工業大學，南方科技大學， 隆基綠能，合盛硅業，中光睿華，復旦大學，中國科學技術大學， 西安交通大學，江蘇第三代半導體研究院， 光迅科技，鎵和半導體 全磊光電 新易盛 昆明物理所，科友半導體，STR，河北同光，香港科技大學，深圳納設 中科院蘇州納米所，中科院上海光機所，哈工大等等
【活動參與】
1、注冊費：會議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊報名2600元；（含會議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、繳費方式：
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
